Полупроводники и их применение




ИмеПолупроводники и их применение
Дата на преобразуване16.01.2013
Размер187.17 Kb.
ТипРеферат
източникhttp://arma.mephi.ru/sites/arma.mephi.ru/files/research/2011/ARassadin/poluprovodniki_i_ih_prime



Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Институт международных отношений



Факультет:



«Управления и экономики высоких технологий»

Специальность:

030701

«Международные отношения»





















РЕФЕРАТ НА ТЕМУ:


«Полупроводники и ИХ применение»




Студент:

Рассадин А.А.




Фамилия И.О.

Преподаватель:

Самедов В.В.





Фамилия И.О.






МОСКВА, 2011 г


Оглавление


Оглавление 6

Определение 6

Свойства полупроводников 7

Исторические сведения 7

Электрофизические свойства полупроводников 8

Собственный полупроводник 8

Электронный полупроводник 9

Дырочный полупроводник 10

Электропроводность полупроводников: 10

P-n-переход 10

P-n-переход в отсутствие внешнего напряжения 10

P-n-переход при подаче внешнего напряжения 13

Применение полупроводников 16

Простейшие полупроводниковые приборы : терморезистор, фоторезистор, варистор. 16

Классификация силовых полупроводниковых элементов по структуре и принципу действия: 17

Заключение 18

Список использованных материалов: 19






Определение


Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры. Это, широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности s, промежуточными между электропроводностью металлов (s ~ 106—104 ом-1 см-1) и хороших диэлектриков (s £ 10-10—10-12 ом-1см-1, электропроводность указана при комнатной температуре). Характерной особенностью полупроводников, отличающей их от металлов, является возрастание электропроводности s с ростом температуры, причём, как правило, в достаточно широком интервале температур возрастание происходит экспоненциально:

s = s0ехр (-EA/кТ).    

  Здесь k — Больцмана постоянная, EA — энергия активации электронов в полупроводниках , (s0 — коэффициент пропорциональности (в действительности зависит от температуры, но медленнее, чем экспоненциальный множитель). С повышением температуры тепловое движение разрывает связи электронов, и часть их, пропорциональная exp (—EA/kT), становится свободными носителями тока.

  Связь электронов может быть разорвана не только тепловым движением, но и различными внешними воздействиями: светом, потоком быстрых частиц, сильным электрическим полем и т.д. Поэтому для полупроводников характерна высокая чувствительность электропроводности к внешним воздействиям, а также к содержанию примесей и дефектов в кристаллах, поскольку во многих случаях энергия EA для электронов, локализованных вблизи примесей или дефектов, существенно меньше, чем в идеальном кристалле данного полупроводника. Возможность в широких пределах управлять электропроводностью проводников изменением температуры, введением примесей и т.д. является основой их многочисленных и разнообразных применений.

Свойства полупроводников


1. С повышением температуры удельное сопротивление полупроводников уменьшается, в отличие от металлов, у которых удельное сопротивление с повышением температуры увеличивается.

2. Свойство односторонней проводимости контакта двух полупроводников. Именно это свойство используется при создании разнообразных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров и др.

3. Контакты различных полупроводников в определенных условиях при освещении или нагревании являются источниками фото - э. д. с. или, соответственно, термо - э. д. с.


Исторические сведения


Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность задолго до этого были обнаружены:

1. Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник

2. Фотопроводимость.

О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение полупроводников (главным образом Федеративная Республика Германия (ФРГ) и кремния в радиоэлектронике. Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).

В СССР изучение полупроводников начались в конце 20 - х годов под руководством А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте АН СССР. Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос всвязи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.

В последнее время большее распространение получили приборы, основанные на действии полупроводников. Эти вещества стали изучать сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная электроника, ни медицина, ни многие другие науки.











Электрофизические свойства полупроводников

Собственный полупроводник




Собственные полупроводники имеют кристаллическую структуру, характеризующуюся периодическим расположением атомов в узлах пространственной кристаллической решетки. В такой решетке каждый атом взаимно связан с четырьмя соседними атомами ковалентными связями (рис. 1.1), в результате которых происходит обобществление валентных электронов и образование устойчивых электронных оболочек, состоящих из восьми электронов. При температуре абсолютного нуля (T=0° K) все валентные электроны находятся в ковалентных связях, следовательно, свободные носители заряда отсутствуют, и полупроводник подобен диэлектрику. При повышении температуры или при облучении полупроводника лучистой энергией валентный электрон может выйти из ковалентной связи и стать свободным носителем электрического заряда. (Рис. 1.2). При этом ковалентная связь становится дефектной, в ней образуется свободное (вакантное) место, которое может занять один из валентных электронов соседней связи, в результате чего вакантное место переместится к другой паре атомов. Перемещение вакантного места внутри кристаллической решетки можно рассматривать как перемещение некоторого фиктивного (виртуального) положительного заряда, величина которого равна заряду электрона. Такой положительный заряд принято называть дыркой.

Процесс возникновения свободных электронов и дырок, обусловленный разрывом ковалентных связей, называется тепловой генерацией носителей заряда. Его характеризуют скоростью генерации G, определяющей количество пар носителей заряда, возникающих в единицу времени в единице объема. Скорость генерации тем больше, чем выше температура и чем меньше энергия, затрачиваемая на разрыв ковалентных связей. Возникшие в результате генерации электроны и дырки, находясь в состоянии хаотического теплового движения, спустя некоторое время, среднее значение которого называется временем жизни носителей заряда, встречаются друг с другом, в результате чего происходит восстановление ковалентных связей. Этот процесс называется рекомбинацией носителей заряда и характеризуется скоростью рекомбинации R, которая определяет количество пар носителей заряда, исчезающих в единицу времени в единице объема. Произведение скорости генерации на время жизни носителей заряда определяет их концентрацию, то есть количество электронов и дырок в единице объема. При неизменной температуре генерационно- рекомбинационные процессы находятся в динамическом равновесии, то есть в единицу времени рождается и исчезает одинаковое количество носителей заряда (R=G). Это условие называется законом равновесия масс.


Состояние полупроводника, когда R=G, называется равновесным; в этом состоянии в собственном полупроводнике устанавливаются равновесные концентрации электронов и дырок, обозначаемые ni и pi . Поскольку электроны и дырки генерируются парами, то выполняется условие: ni=pi . При этом полупроводник остается электрически нейтральным, т.к. суммарный отрицательный заряд электронов компенсируется суммарным положительным зарядом дырок. Это условие называется законом нейтральности заряда. При комнатной температуре в кремнии ni=pi=1,4· 1010 см-3, а в германии ni=pi=2,5· 1013 см-3. Различие в концентрациях объясняется тем, что для разрыва ковалентных связей в кремнии требуются большие затраты энергии, чем в германии. С ростом температуры концентрации электронов и дырок возрастают по экспоненциальному закону.


Электронный полупроводник


Электронным полупроводником или полупроводником типа n ( от латинского negative - отрицательный) называется полупроводник, в кристаллической решетке которого (рис .1.3) помимо основных (четырехвалент-ных) атомов содержатся примесные пятивалентные атомы, называемые донорами. В такой кристаллической решетке четыре валентных электрона примесного атома заняты в ковалентных связях, а пятый (“лишний”) электрон не может вступить в нормальную ковалентную связь и легко отделяется от примесного атома, становясь свободным носителем заряда. При этом примесный атом превращается в положительный ион. При комнатной температуре практически все примесные атомы оказываются ионизированными. Наряду с ионизацией примесных атомов в электронном полупроводнике происходит тепловая генерация, в результате которой образуются свободные электроны и дырки, однако концентрация возникающих в результате генерации электронов и дырок значительно меньше концентрации свободных электронов, образующихся при ионизации примесных атомов, т.к. энергия, необходимая для разрыва ковалентных связей, существенно больше энергии, затрачиваемой на ионизацию примесных атомов.Концентрация электронов в электронном полупроводнике обозначается nn, а концентрация дырок - pn. Электроны в этом случае являются основными носителями заряда, а дырки - неосновными.




Дырочный полупроводник


Дырочным полупроводником или полупроводником типа p ( от латинского positive - положительный) называется полупроводник, в кристаллической решетке которого (рис. 1.4) содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами. В такой кристаллической решетке одна из ковалентных связей остается незаполненной. Свободную связь примесного атома может заполнить электрон, покинувший одну из соседних связей. При этом примесный атом превращается в отрицательный ион, а на том месте, откуда ушел электрон, возникает дырка.

В дырочном полупроводнике, также как и в электронном, происходит тепловая генерация носителей заряда, но их концентрация во много раз меньше концентрации дырок, образующихся в результате ионизации акцепторов. Концентрация дырок в дырочном полупроводнике обозначается pp, они являются основными носителями заряда, а концентрация электронов обозначается np, они являются неосновными носителями заряда.

Электропроводность полупроводников:


- обеспечивается свободными электронами и дырками;

- остается постоянной в пределах области температур, специфической для каждого вида полупроводников, и увеличивается с повышением температуры;

- зависит от примесей;

- увеличивается под действием света и с возрастанием напряженности электрического поля.

В зависимости от того, отдаёт ли атом примеси электрон или захватывает его, примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается. Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры. Вблизи абсолютного нуля температуры полупроводники имеют свойства изоляторов. Полупроводники характеризуются как свойствами проводников, так и диэлектриков. Так как, образуя кристаллы, атомы полупроводников устанавливают ковалентные связи (то есть, один электрон в кристалле кремния, как и алмаза, связан двумя атомами), электронам необходим уровень внутренней энергии для высвобождения из атома (1, 76*10-19Дж против 11, 2*10-19Дж, чем и характеризуется отличие между полупроводниками и диэлектриками). Эта энергия появляется в них при повышении температуры (например, при комнатной температуре уровень энергии теплового движения атомов равняется 0, 4*10-19Дж), и отдельные атомы получают энергию для отрыва электрона от атома. В процессе повышения температуры количество свободных электронов возрастает - удельное сопротивление падает. Условно принято считать полупроводниками элементы с энергией связи электронов меньшей чем 1, 5 - 2 эВ.

Во время разрыва связи между электроном и ядром появляется свободное место в электронной оболочке атома. Это обуславливает переход электрона с другого атома на атом со свободным местом. На атом, откуда перешел электрон, входит другой электрон из другого атома и т. д. Это обуславливается ковалентными связями атомов. Таким образом, происходит перемещение позитивно заряженного атома без перемещения самого атома. Этот процесс назвали "дыркой".

P-n-переход

P-n-переход в отсутствие внешнего напряжения



В основе большинства полупроводниковых диодов и транзисторов лежит контакт двух полупроводников с различным типом электропроводности. Такой контакт называют электронно-дырочным переходом или p-n-переходом. Он может быть получен, например, путем диффузии донорной примеси в полупроводник p-типа. Идеализированная одномерная структура p-n-перехода изображена на рис. 2.1,а.


Включенный в электрическую цепь p-n-переход обладает односторонней проводимостью, то есть его вольтамперная характеристика нелинейна. Рассмотрим физические процессы в структуре, определяющие нелинейные свойства p-n-перехода.


Для простоты будем полагать, что концентрация легирующей примеси в областях n- и p- типа распределена равномерно, причем концентрация донорной примеси ND в n-полупроводнике значительно больше, чем концентрация акцепторной примеси NA в p- полупроводнике (ND>>NA). Назовем n-область с большей концентрацией примеси эмиттером, а p-область с меньшей концентрацией примеси - базой. Это допущение позволяет считать, что полный ток через p-n-переход определяется преимущественно электронной составляющей. Дырочная составляющая тока через p-n-переход мала и ею можно пренебречь:


i = in + ip » in.


Будем полагать, что внешние контакты к структуре ( они по своей природе должны иметь двустороннюю проводимость с очень малым сопротивлением ) удалены от контакта (сечение x0 рис. 2.1) на расстояние, значительно превышающее диффузионную длину электронов Ln в базе и дырок Lp в эмиттере. Это допущение позволяет считать, что собственно p-n-переход локализован вблизи границы x0. Обозначим границы p-n-перехода через xn и xp.


Распределение концентрации электронов вдоль оси x показано на рис. 2.1,б. Так как концентрация электронов в n-полупроводнике nn (основные носители заряда) значительно превышает концентрацию электронов в p-полупроводнике np (неосновные носители заряда), то в плоскости контакта возникает диффузия электронов из n-области в p-область. Аналогичные рассуждения приводят к диффузии дырок из p-области в n-область. Таким образом через p-n-переход протекают диффузионные потоки основных носителей заряда (ПОНЗ).


Уходя из полупроводника n-типа, электроны оставляют в приконтактной области n-полупроводника нескомпенсированный положительный неподвижный заряд ионов доноров QD+. Аналогично в приконтактной области p-полупроводника появляется равный по величине нескомпенсированный отрицательный неподвижный заряд ионов акцепторов QA-. На рисунке 2.1,б соответствующие области заштрихованы и обозначены.


Таким образом в области контакта появляется встроенное электрическое поле локализованное вблизи границы x0. Будем характеризовать его контактной разностью потенциалов jK0.


Возникшее поле препятствует движению основных носителей через переход и является причиной появления встречного дрейфового движения электронов из p-области в n-область.


Таким образом, потоки неосновных носителей заряда (ПННЗ) по своей природе являются дрейфовыми. Распределение потенциала в структуре приведено на рис. 2.1,в.


Состояние термодинамического равновесия устанавливается при равенстве потоков основных и неосновных носителей заряда ПОНЗ = ПННЗ, при этом p-n-переход характеризуется следующими параметрами: контактная разность потенциалов jK0 и ширина области пространственного заряда (или ширина p-n-перехода) D0. Можно показать ,что:


; (2.1)


; (2.2)


Анализ выражений (2.1) и (2.2) показывает, что параметры перехода зависят от температуры и концентрации легирующей примеси в n и p - областях.


Увеличение температуры приводит к уменьшению контактной разности потенциалов jK0 и ширины p-n-перехода D0. Это, в первую очередь, определяется тем, что, как показано разд. 1, при высоких температурах уровни Ферми в n- и p-полупроводниках приближаются к середине запрещенной зоны, электропроводность полупроводников стремится к собственной, а, следовательно, p-n-переход исчезает (jK0®0, D0®0). В уравнениях (2.1) и (2.2) эту зависимость определяет член ni2(T).


При возрастании концентрации легирующих примесей ND и NA контактная разность потенциалов возрастает , а ширина p-n-перехода уменьшается.


Встроенное электрическое поле в p-n- переходе определяется зарядом неподвижных ионов примеси, при этом суммарный заряд структуры равен нулю: QD+ = QA–, то есть


S·q·ND·Dn = S·q·NA·D p , (2.3)


где S - площадь p-n-перехода; Dn , Dp - протяженность p-n-перехода соответственно в областях n- и p-типа. Преобразуем (2.3) с учетом ND>>NA.


(2.4)


Из (2.4) следует ,что p-n-переход большей своей частью лежит в базе.


Необходимо отметить, что область p-n-перехода обеднена подвижными носителями заряда, так как любой, возникший в этой области или попавший в нее, подвижный заряд выталкивается из области перехода электрическим полем. Поэтому сопротивление p-n-перехода значительно выше, чем сопротивление n- и p- областей.


Подведем итог. Причиной нелинейных свойств p-n-перехода является существующее в переходе встроенное электрическое поле.


Для основных носителей заряда это поле создает потенциальный барьер, а, следовательно, величина потока основных носителей заряда через переход зависит от величин этого барьера (jK).


Для неосновных носителей заряда поле в переходе создает потенциальную яму, а, следовательно, поток неосновных носителей заряда не будет зависеть от глубины потенциальной ямы (jK): все электроны (неосновные носители), появившиеся у края потенциальной ямы, упадут в нее.


Поле в p-n-переходе можно изменить путем подачи на структуру внешнего напряжения. Если полярность внешнего напряжения направлена против поля в переходе, то тормозящее для ОНЗ поле в переходе ( или потенциальный барьер), уменьшается, и поток основных носителей заряда через p-n- переход увеличивается и значительно превышает существующий поток неосновных носителей. Такое напряжение на p-n-переходе называется прямым.


Если полярность внешнего напряжения U совпадает с полярностью контактной разности потенциалов jK0, суммарное тормозящее для ОНЗ поле в переходе возрастает, что приводит к уменьшению ПОНЗ через переход. Такое внешнее напряжение на p-n-переходе называется обратным.


Необходимо еще раз повторить, что в том и другом случае ПННЗ не зависит от глубины потенциальной ямы, а, следовательно, протекающий через p-n-переход ток неосновных носителей заряда не зависит от приложенного внешнего напряжения.

P-n-переход при подаче внешнего напряжения



Рассчитаем прямой и обратный токи p-n-перехода, исходя из основных процессов в базе диода. Будем по-прежнему считать, что концентрация донорной примеси в эмиттере ND = nn значительно превышает концентрацию акцепторной примеси в базе NA = pp. В этом случае и при прямом и при обратном напряжении можно учитывать только электронную составляющую тока i = in + ip » in .


В самом деле, при прямом напряжении прямой ток определяется потоком основных носителей заряда, а т.к. nn » pp , то дырочной составляющей прямого тока можно пренебречь. При обратном напряжении обратный ток определяется потоком неосновных носителей заряда; поскольку:

То и в этом случае дырочной составляющей обратного тока можно пренебречь.


Рассматривая процессы в p-n-переходе при подаче внешнего напряжения будем так же полагать, что сопротивление обедненной области, где подвижных носителей заряда практически нет, значительно больше, чем сопротивление областей n- и p-типа вне перехода. Это допущение позволит считать, что все внешнее напряжение падает на p-n-переходе и контактная разность потенциалов соответственно изменяется до величины jK0±U, где знак “-” соответствует падению потенциального барьера вследствие подачи прямого напряжения на p-n-переход, а знак “+” - при подаче обратного напряжения(см. рис.2.2,а).


Распределение потенциала вдоль структуры p-n-перехода показано на рис.2.2,б.


При прямом напряжении (U >0) уменьшение потенциального барьера приводит к преобладанию потока электронов из эмиттера в базу (ПОНЗ) над потоком электронов из базы в эмиттер (ПННЗ). При этом электроны инжектируются в базу и концентрация электронов на границе xp возрастает до величины


, которая уже при U=0,26 В ( =0,026В)


значительно превышает равновесную концентрацию в базе. Таким образом, инжекция электронов в базу приводит к появлению неравновесных носителей в базе Dn(xp) = n (xp) - np . Вследствие возникшего градиента концентрации в базе начинается процесс диффузии электронов от границы перехода xp в глубину p-базы. По мере движения неравновесная концентрация уменьшается за счет рекомбинации.


Таким образом, три процесса определяют распределение неравновесной концентрации в базе p-n-перехода при прямом напряжении:


- инжекция - вызывает увеличение граничной концентрации n(xp), то есть приводит к появлению неравновесных носителей заряда в базе;


- диффузия - является причиной движения электронов (ННЗ) через базу;


- рекомбинация - приводит к уменьшению неравновесной концентрации в базе вдали от p-n-перехода.


Распределение концентрации электронов в базе показано на рис. 2.2,в, оно описывается уравнением (1.34)


,


где n(x=xp=0) - граничная концентрация ,


Ln -диффузионная длина электронов в базе.


Прямой электронный ток через p-n-переход может быть определен в любом сечении двухэлектродной структуры, однако удобнее это сделать в сечении xp, где задана граничная концентрация .электронов


По своей природе электронный ток в сечении xp является диффузионным и может быть рассчитан по формуле (1.44)


,


где S - площадь p-n-перехода, q - заряд электрона, Dn - коэффициент диффузии электронов.


С учетом


прямой ток p-n- перехода определяется выражением:


. (2.5)


Обозначим , эта величина имеет размерность тока, определяется концентрацией не основных носителей заряда в базе np и называется тепловым током i0.


Проведя аналогичные рассуждения для обратного смещения, отметим следующее: p-n-переход при обратном смещении экстрагирует (выводит) электроны из базы. Граничная концентрация уменьшается по сравнению с равновесной и определяется выражением:


,


которое отличается от соответствующего выражения при прямом напряжении полярностью напряжения U в экспоненте.


Три процесса определяют обратный ток p-n-перехода:


- экстракция электронов из базы;


- диффузия их из глубины базы к границе перехода xp;


- генерация пар электрон - дырка в областях, где n(x)

Распределение потенциала j(x) и концентрации n(x) для обратного напряжения приведены на рис. 2.2 г,д,е - правый столбец.


Вывод выражения для электронной составляющей обратного тока через p-n-переход полностью аналогичен выводу прямого тока.


Выражение для электронной составляющей обратного тока отличается от (2.5) только знаком внешнего напряжения и имеет вид :

.


Применение полупроводников


Полупроводниковые приборы — широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников.

Полупроводниковые приборы:

Интегральные схемы (микросхемы)

Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны, диоды Шоттки),

Биполярные транзисторы (в том числе и гетеропереходные),

Тиристоры, фототиристоры,

Полевые транзисторы,

Приборы с зарядовой связью,

Полупроводниковые СВЧ-приборы (диоды Ганна, лавинно-пролетные диоды),

Оптоэлектронные приборы (фоторезисторы, фотодиоды, солнечные элементы, детекторы ядерных излучений, светодиоды, полупроводниковые лазеры, электролюминесцентные излучатели).

Терморезисторы, датчики Холла






Простейшие полупроводниковые приборы : терморезистор, фоторезистор, варистор.




Терморезистор (термистор, термосопротивление) - зависимость сопротивления от температуры


- экспоненциально падает с ростом абсолютной температуры


Основные применения - измерение температуры и термокомпенсация


Пример: компенсация ОС в цветных телевизорах и в дисплеях:


Фоторезистор (фотосопротивления) - зависимость сопротивления от освещенности


- т.е. в большинстве случаев


Обычно

Применение - измерение и регулировка освещенности, фотодатчики

Недостаток - инерционность


Достоинство - обычно линейная зависимость (закон Ома) и высокое внутреннее усиление


Варистор (нелинейное сопротивление)


Применение : стабилизация высоких напряжений (телевизоры, дисплеи), защита от перенапряжения

Классификация силовых полупроводниковых элементов по структуре и принципу действия:














Заключение



Полупроводники - это сравнительно новые материалы, с помощью которых на протяжении последних десятилетий удаётся разрешать ряд чрезвычайно важных электротехнических задач.


Полупроводниковые приборы можно встретить в обычном радиоприемнике и в квантовом генераторе - лазере, в крошечной атомной батарее и в микропроцессорах.


Инженеры не могут обходиться без полупроводниковых выпрямителей, переключателей и усилителей. Замена ламповой аппаратуры полупроводниковой позволила в десятки раз уменьшить габариты и массу электронных устройств, снизить потребляемую ими мощность и резко увеличить надежность.


В настоящее время насчитывается свыше двадцати различных областей, в которых с помощью полупроводников разрешаются важнейшие вопросы эксплуатации машин и механизмов, контроля производственных процессов, получения электрической энергии, усиления высокочастотных колебаний и генерирования радиоволн, создания с помощью электрического тока тепла или холода, и для осуществления многих других процессов.
















Список использованных материалов:





  1. http://ru.wikipedia.org/wiki/Полупроводник 28 апреля 2011г

  2. http://www.chemport.ru/chemical_encyclopedia_article_3061.html 2010г

  3. http://stoom.ru/content/view/162/83/ 2011г

  4. http://www.physbook.ru 2009г

  5. ttp://wiki.iteach.ru 20 апреля 2011

  6. http://forexaw.com/TERMs/Physics44554/l431_Полупроводник_Semiconductor 15.01.10

  7. http://dvo.sut.ru/libr/eqp/i001eqp1/1.htm 11.04.2008

  8. http://promindustriya.ru/bipolyarnye-tranzistory-s-izolirovannym-zatvorom-igbt-dlya-nachinayushhix.html 18.08.2010

  9. http://www.eedigest.com/














Свързани:

Полупроводники и их применение icon«Развитие учебно-познавательной компетенции обучающихся через практическое применение технологий развития креативности». В ходе семинара был презентован опыт педагогов дополнительного образования мбоу дод станция юных техников Устиновского района города Ижевска по организации развития креативности о
Необходимость введения системы работы по развитию учебно-познавательной компетенции обучающихся через практическое применение технологий...
Полупроводники и их применение iconТема: Ароматические углеводороды. Бензол, как пример единства естественных наук. Строение, получение, свойства, применение
Тема: Ароматические углеводороды. Бензол, как пример единства естественных наук. Строение, получение, свойства, применение (интегрированный...
Полупроводники и их применение iconОбъясните суть теории «естественного права». Находит ли она применение в наши дни?

Полупроводники и их применение icon«Программное обеспечение персонального компьютера»
Применение: составлять классификацию известных программ по предложенной структуре
Полупроводники и их применение icon"Применение ит при анализе окказиональной лексики с помощью электронного корпуса языка"
Охватывает данная ячейка
Полупроводники и их применение iconНазвание учебных электронных пособий
Алгебра. 9 класс. Применение свойств квадратичной функции при решении уравнений с параметром
Полупроводники и их применение iconГосдума отклонила законопроект, ограничивающий применение "мигалок" 27
Российский спорт в иностранных сми (по материалам сайтов inosmi ru, inopressa ru) 5
Полупроводники и их применение iconСуд над галогенами
Цели: дать общую сравнительную характеристику галогенов; рассмотреть строение их атомов, нахождение в природе и применение
Полупроводники и их применение iconМоу «Терютьская сош имени Г. А. Кривошапкина». Народ Оглавление
Применение личностно – ориентированного подхода на уроках якутского языка и литературы
Полупроводники и их применение iconА. Д. Гвишиани Гвишиани А. Д., Родкин М. В., Агаян С. М., Богоутдинов Ш. Р., Граева Е. М.  Применение алгоритмов на основе нечеткой логики для мониторинга опасных природных явлений. Материалы Всероссийской конференции Р
Гвишиани А. Д., Родкин М. В., Агаян С. М., Богоутдинов Ш. Р., Граева Е. М.  Применение алгоритмов на основе нечеткой логики для мониторинга...
Поставете бутон на вашия сайт:
Документация


Базата данни е защитена от авторски права ©bgconv.com 2012
прилага по отношение на администрацията
Документация
Дом